为了节约成本，公司并不让我这样做，因为套磁珠影响了成本，当即NG掉此PCB布局，采用图一a方式PCB关键布局走线。变压器绕法不变：Np1→VCC→Ns1→Ns2→铜屏蔽0.9Ts→NpPCB关键布局：Y电容地→变压器地→大电容地注：变压器内部的初级出线及次级出线有交叉图一a（115Vac）图一a可以看出，改变PCB布局后130M-200M已经完全被衰减，但是30-130M没有图一效果好，可能变压器出线无交叉好一些。仔细观察，此IC具有抖频功能，传导部分频段削掉了一些尖峰；
如反激一次侧的高压MOS的D、S之间距离，依据公式500V对应0.85mm，OEM板电源批发，DS电压在700V以下是0.9mm，考虑到污染和潮湿，一般取1.2mm54.如果TO220封装的MOS的D脚串了磁珠，需要考虑T脚增加安全距离。之前碰到过炸机现象，增加安全距离后解决了，因为磁珠容易沾上残留物55.发一个验证VCC的土方法，LED驱动电源批发，把产品放低温环境（冰箱）几分钟，测试VCC波形电压有没有触发到芯片欠压保护点。小公司设备没那么全，有兴趣的可以做个对比，看看VCC差异有多大关于VCC圈数的设计需要考虑很多因素56.在变压器底部PCB加通风孔，有利于散热，小板也一样，要考虑风路。
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